Арсенид индия. Свойства, применение. Особенности получения эпитаксиальных пленок — страница 8

  • Просмотров 11524
  • Скачиваний 596
  • Размер файла 35
    Кб

методом наращивания. Качество слоев, полученных с помощью этой системы, обычно эквивалентно или даже превосходит качество слоев, полученных с участием других систем и методов, за исключением хлоридной системы In-AsCl3-H2. Система InAs-SiCl4-H2. Эпитаксиальные пленки арсенида индия высокой чистоты можно получать с использованием в качестве транспортирующего агента тетрахлорид кремния. Схема установки приведена на рис. 4. Рис. 4. Схема

установки для эпитаксиального наращивания InAs с использованием системы InAs-SiCl4-H2: 1-печь; 2-первый источник InAs; 3-второй источник InAs; 4-подложка. Водород, насыщенный тетрахлоридом кремния, при температуре -30СО, подается во внутреннюю трубку реакционной камеры. Продукты разложения (водород, хлористый водород и дихлорид кремния) вместе с остатком тетрахлорида кремния поступают во внешнюю реакционную трубу, где взаимодействуют с

первым источником арсенида индия. При этом на источнике растет пористая пленка кремния и образуется хлорид индия мышьяк. На втором источнике, предназначенном для полного восстановления хлоридов кремния, также осаждается небольшое количество кремния. Эпитаксиальное наращивание пленок арсенида индия проводится на одноименные подложки, расположенные за вторым источником. Этот процесс можно представить следующим

последовательнымрешением: в реакционной камере SiCl4 ® SiCl2+2HCl, (19) с источник арсенида индия 2InAs+ SiCl4+ SiCl2®2Si+2InCl+1/4As4, (20) 2InAs+SiCl4®4InCl+As4, (21) на подложке 2InCl+As2+H2®2InAs+HCl. (22) Тетрахлорид кремния как транспортный агент в газотранспортных реакциях имеет преимущество перед другими хлоридами: ·      может быть получен особо высокой степени чистоты; ·      имеет высокое парциальное давление при относительно невысоких

температурах; ·      не дает донорных уровней в эпитаксиальном слое. Пиролиз МОС. Значительный интерес представляют реакции металлоорганических соединений. Процессы такого рода проводятся при низких температурах, что существенно повышает чистоту, синтезируемого соединения, кроме того синтез многих МОС носит избирательный характер, а так как целый ряд примесей, влияющих на электрофизические параметры

полупроводниковых материалов, не образуют аналогичных соединений, то уже в процессе самого синтеза МОС происходит очистка от нежелательных примесей до уровня 10-5-10-6 вес %. Основными реакциями, приводящими к образованию арсенида индия при участии МОС, можно назвать следующие: ·      термическое разложение индивидуального МОС по схеме RnInAs®InAs+nRH (23) разложение происходит в атмосфере водорода; ·      реакции