Автоматизация проектирования цифровых СБИС на базе матриц Вайнбергера и транзисторных матриц — страница 2

  • Просмотров 5569
  • Скачиваний 451
  • Размер файла 20
    Кб

строки. В столбцах матрицы равномерно расположены полосы поликремния, образующие взаимосвязанные затворы транзисторов. По другим полюсам транзисторы соединяются друг с другом сегментами металлических линий, которые размещаются в строках матрицы. Иногда, для того чтобы соединить сток и исток транзисторов, находящихся в различных строках, вводят короткие вертикальные диффузионные связи. В дальнейшем ТМ будет представляться

абстрактным лэйаутом. Абстрактный лэйаут - схематический рисунок будущего кристалла, где прямоугольники обозначают транзисторы, вертикальные линии - поликремниевые столбцы, горизонтальные - линии металла, штриховые - диффузионные связи, точки - места контактов, стрелки - места подключения транзисторов к линиям Gnd и Vdd. При переходе к послойной топологии стрелки должны быть заменены полосками в диффузионном слое, по которому

осуществляются соединения между строками ТМ. На рис. 1.а представлена транзисторная схема, а на рис. 1.б - транзисторная матрица, реализующая данную схему. Символическое представление топологии транзисторных матриц. Одной из завершающих стадий получения топологии транзисторных матриц является переход от символического лэйаута к топологическому описанию схемы на уровне слоев. Символические лэйауты конструируются путем

размещения символов не решетке, которая служит для создания топологии заданной схемы. Каждый символ представляет геометрию, которая может включать любое число масочных уровней. Схемотехника транзисторных матриц позволяет использовать небольшое число различных символов, требуемых для описания лэйаута: N - n-канальный транзистор; P - p-канальный транзистор; + - надпересечение - металл над диффузией; металл над поликремнием;

пересекающиеся вертикальный и горизонтальный металлы; - контакт (к поликремнию либо диффузии); ! - p-диффузия; n-диффузия, либо поликремний; : - металл в вертикальном направлении; - металл в горизонтальном направлении. Каждый символ транзистора соответствует транзистору минимального размера. Однако ширина канала может увеличиваться многократным повторением символа. Только один символ «+» требуется для того, чтобы обозначить

пересечение всех трех уровней взаимосвязей: а именно, металл над диффузией, металл над поликремнием и пересекающийся вертикальный и горизонтальный металлы. Символ контакта « используется для того, чтобы определить контакт металла к поликремнию или диффузии. Символ « используется для представления либо поликремниевых, либо n-диффузионных проводников. Символ для диффузии p-типа «!» требуется для различия ее от диффузии n-типа,