Автоматизированное проектирование СБИС на базовых матричных кристаллах — страница 3

  • Просмотров 5245
  • Скачиваний 389
  • Размер файла 13
    Кб

проектирования, обусловлены: применением БМК для проектирования и изготовления широкого класса БИС; уменьшением числа детализированных решений в ходе проектирования БИС; упроще- нием контроля и внесения изменений в топологию; возможностью эф- фективного использования автоматизированных методов конструирова- ния, которая обусловлена однородной структурой БМК. Наряду с отмеченными достоинствами БИС на БМК не обладают

предельными для данного уровня технологии параметрами и, как пра- вило, уступают как заказным, так и стандартным схемам. При этом следует различать технологические параметры интегральных микросхем и функциональных узлов (устройств), реализованных на этих микрос- хемах. Хотя технологические параметры стандартных микросхем малой и средней степени интеграции наиболее высоки, параметры устройств, реализованных на их основе,

оказываются относительно низкими. ОСНОВНЫЕ ТИПЫ БМК Базовый кристалл представляет собой прямоугольную многослой- ную пластину фиксированных размеров, на которой выделяют перифе- рийную и внутреннюю области (рис. 1). В периферийной области рас- полагаются внешние контактные площадки (ВКП) для осуществления внешнего подсоединения и периферийные ячеики для реализации буфер- ных схем (рис. 2). Каждая внешняя ячейка связана с одной

ВКП и включает диодно-транзисторную структуру, позволяющую реализовать различные буферные схемы за счет соответствующего соединения эле- ментов этой структуры. В общем случае в периферийной области могут находиться ячейки различных типов. Причем периферийные ячейки мо- гут располагаться на БМК в различных ориентациях (полученных пово- ротом на угол, кратный 90', и зеркальным отражением). Под базовой ориентацией ячейки

понимают положение ячейки, расположенной на нижней стороне кристалла. ├──┐ ┌──────────────┐ ├┐ │ │ Переферийная │ ├┘ │ │ ┌────────┐ │ ├──┤ ВО │ │Внутрен.│ │ ├┐ │ │ │область │ │ ├┘ │ │ └────────┘ │

├──┼─────┬─────┬─────┬─── │ область │ ПО├─┐│ ┌─┐ │ ┌─┐ │ ┌─┐ │ └──────────────┘ └─┴┴─┴─┴─┴─┴─┴─┴─┴─┴─┴──── ПЯ ВКП рис. 1 рис 2. Во внутренней области кристалла матричным способом располага- ются