Ионный источник Кауфмана — страница 7

  • Просмотров 1772
  • Скачиваний 34
  • Размер файла 260
    Кб

материала нити и загрязнение обрабатываемой поверхности. Применение метода ограничено ионными пучками малого диаметра. 2. Метод "плазменного моста", состоящий в формировании вспомогательного плазменного потока, замыкающегося на ионный пучок и обеспечивающего нейтрализацию. Многоаппертурные источники ионов серийно выпускаются в США фирмами Veeco, Commonwelth Seintific, Ion Tech, CSC и другими в виде универсальных автономных установок и

в составе технологических систем. 3. Модификации источника Кауфмана и тенденции его развития Для повышения однородности потока используются мультипольные системы на постоянных магнитах, в зоне полюсных наконечников которых размещаются аноды, и мультикатодные системы /4/. Ионный источник с мультикатодной системой разработанный фирмой CSC представлен на рис.17. Ионный источник с мультикатодной системой I - экстрактор, 2 - анод, 3 -

электромагнит, 4 - система катодов (мультикатоды), 5 - напуск рабочего газа, 6 - водяное охлаждение. Рис.17 Можно выделить следующие тенденции развития технологических многолучевых источников: увеличение диаметра ионного потока; использование нескольких термокатодов с целью повышенения равномерности пространственного распределения плазмы в объеме разрядной камеры; увеличение ресурса термокатодов; применение мультипольных

магнитных систем и многоанодных систем для повышения однородности плазмы в разрядной камере; нейтрализации объемного заряда ионного потока. 4. Применение ионных источников в технологии В технологических процессах создания сверхбольших и сверхскоростных ИС (СБИС и ССИС) широко используются ионные, ионно-плазменные и плазмохимические процессы взаимодействия ионных потоков и низкотемпературной плазмы с поверхность твердого

тела. В универсальных технологических системах, оборудованных ионными источниками можно проводить многие операции очистки, ионно-пучкового травления и распыления. В полупроводниковой микроэлектронике широко применяются технологии ионной имплантации и реактивного ионно-лучевого травления (РИЛТ) /1/. Применение совокупности электронно-ионных процессов, получивших общее название «элионная технология», позволяет повысить

точность изготовления микроструктур, создать высокопроизводительное автоматизированное промышленное оборудование. Ионно-лучевая обработка материалов характеризуется следующими особенностями: большая энергия активирующего воздействия пучков на материал, подвергаемый обработке; возможность управления пучками с малой инерционностью посредством электромагнитных полей; селективность активирующего воздействия;