Ионный источник Кауфмана — страница 8

  • Просмотров 1765
  • Скачиваний 34
  • Размер файла 260
    Кб

возможность управления технологическим процессом с помощью ЭВМ; ионные процессы протекают в вакууме или плазме, что гарантирует сохранение чистоты обрабатываемого материала. В полупроводниковой ыикроэлектронине широко применяется технология ионной имплантации. Ионная имплантация - эффективный метод технологической обработки, основанный на взаимодействии управляемых потоков ионов с поверхностью твердого тела с целью

изменения его свойств, связанных с атомной структурой. Установка ионной имплантации представляет собой электрофизический комплекс, генерирующий пучок с заданными свойствами, создающий возможность взаимодействия пучка с мишенью и обеспечивающий контроль и управление характеристиками пучка и объектам имплантации /5/. Ионный источник является одним из важнейших узлов установки ионной имплантации. От конструкции источника

зависит надежность и основные рабочие характеристики всей установки в целом. Установки имплантации для производства СБИС и ССИС характеризуются широким диапазоном параметров: масса легирующих примесей 1 - 250 а.е.м. ток ионного пучка 10-9-5*10-2 А энергия ионов 5-3103 кэB доза имплантации 109 -1017 см2 производительность до 4 м2 кремния /г Выделяют три основных группы промышленных установок ионной имплантации: высокоэнергетические, малых

и средних доз, больших доз с интенсивными ионными пучками. Основными легирующими примесями в технологическом процессе имплантации являются такие элементы, как бор, фосфор, мышьяк, сурьма, цинк, алюминий, селен, галий. Для радиального воздействия используется водород, аргон, азот, гелий. Рабочее вещество может подаваться в разрядную камеру источника в виде элементарного газа или газоразрядных соединений твердых веществ . Для

ионизации твердых веществ используется их испарение в тигле, нагреваемом до высоких температур, и последующая подача паров рабочего вещества в разрядную камеру источника. Используется также эффект катодного распыления тугоплавкого материала и его ионизация в плазме вспомогательного инертного газа. Промышленное применение разнообразных методов ионно-лучевой обработки материалов повышает требования к ионным источникам.

Главным образом это касается увеличения интенсивности ионных потоков, повышения ресурса, возможности использования различных рабочих веществ и разных сортов ионов, высокой стабильности рабочих параметров, снижения энергоемкости и металлоемкости установки. заключение Существует большое разнообразие ионных источников, применение которых в технологии микроэлектроники открывает широкие перспективы. Ионный источник