Исполнительные и логические устройства — страница 6

  • Просмотров 8085
  • Скачиваний 496
  • Размер файла 323
    Кб

В, Uбэ = 0,8 В. Для обеспечения режима насыщения VT4 при закрытых транзисторе VT3 и диоде VD необходимо выполнить условие: Iб4·В4 ≥ Iкн = n·I0вх нагр Где: n – число нагрузочных ТТЛ-схем, подключенных к выходу рассматриваемой схемы; I0вх нагр – входной ток нагрузочной ТТЛ-схемы. Положив в данное выражение знак равенства, можно определить нагрузочную способность данной схемы, т.е. максимальное число нагрузочных схем, при котором транзистор

VT4 еще работает в режиме насыщения: nmaz = Iб4·В4 / I0вх нагр Состояние VT3 в статических режимах работы схемы, в соответствии с рисунком 3, всегда противоположно состояниюVT4, а следовательно, VT2. При насыщенном VT4 транзистор VT3 закрыт. Диод VD повышает порог отпирания VT3, обеспечивая его закрытое состояние при насыщенном транзисторе VT4. Действительно: Uбэ3 = Uкэн2 + Uбэ4 – Uкэн4 – Uд ≈ Uбэ4 - Uд < Uпор3 Так как типичны значения: Uбэ4 = 0,8 В; Uд = 0,7В;

Uпор = 0,6В. Помехоустойчивость ТТЛ-схем по высокому и низкому уровням входного напряжения различны, т.е. U0пом ≠ U1пом. ТТЛ-схема более чувствительна к помехе U0пом, которая накладывается на сигнал U0вх и вызывает ложное переключение схемы (U0пом < U1пом). Схема, в соответствии с рисунком 3, считается подключенной, если под действием помехи U0пом открываются транзисторы VT2 и VT4, для отпирания которых требуется двойное пороговое

напряжение Uпор2 +Uпор4 ≈ 2·Uпор. Тогда условие сохранения первоначального состояния схемы при действии помехи можно записать как: U0вх + U0пом + Uкэн1 ≤ 2Uпор Откуда найдем: U0пом ≤ 2Uпор - U0вх - Uкэн1 Приняв U0вх = 0,2 В; Uпор = 0,6 В; Uкэн = 0,2 В, получим U0пом ≤ 0,6 В При определении U1пом схема считаются переключенной, если открывается закрытый переход база – эмиттер многоэмиттерного транзистора VT1. В режиме логическое единицы на входе

потенциал базы транзистора VT1 относительно “земли” равен сумме напряжений на открытых переходах база-коллектор VT1 и база-эмиттер VT2 и VT4, т.е. Uб1 = Uбк1 + Uбэ2 + Uбэ4 = 2,14 В. Тогда напряжение на закрытом переходе база-эмиттер VT1: Uбэ1 = Uб1 – U1вх. Принимая U1вх = 3,6 В, будем иметь Uбэ1 = -1,2 В. Напряжение помехи, при котором транзистор VT1 можно считать открытым, U1пом = Uбэ1 – Uпор = -1,2 –0,6 = -1,8 В. Помехоустойчивость ТТЛ-схемы со сложным инвертором по

логическому нулю выше, а по логической единице, чем ТТЛ-схемы, в соответствии с рисунком 2а. Быстродействие ТТЛ-схем определяется в основном переходными процессами при переключении транзисторов, а также зарядом паразитной нагрузочной емкости Сн, которая представляет собой суммарную емкость нагрузочных ТТЛ-схем. В схеме, в соответствии с рисунком 2а, заряд емкости Сн происходит с большой постоянной времени через коллекторный