Исследование полупроводникового диода

  • Просмотров 449
  • Скачиваний 21
  • Размер файла 18
    Кб

Исследование полупроводникового диода. Лабораторная работа Цель работы Изучение свойств плоскостного диода путём практического снятия и исследования его вольтамперной характеристики. Ход работы: 1. Подключить шнур питания к сети. 2. Тумблером "СЕТЬ" включить стенд - при этом загорается лампочка сигнализации. 3. Тумблер В - 1 поставить в положение 1. Снять вольтамперную характеристику при изменении напряжения источника

потенциометром R при прямом положении, приложенном к диоду. Результаты измерений занести в таблицу № 1. 4. Тумблер В - 1 поставить в положение 2. Снять вольтамперную характеристику при изменении напряжения источника потенциометром R при прямом положении, приложенном к диоду. Результаты измерений занести в таблицу № 2. UПР ,В I, A Uобр, В I, A 0,6 10 2,5 10 0,65 15 5 14 0,7 20 7 20 0,75 25 9 26 0,8 80 11 32 Обработка результатов опытов: По данным таблицы 1, 2 в

декартовой системе координат построить вольтамперную характеристику диода. IПР U обр U пр Вывод С помощью этой лабораторной работы мы доказали что полупроводниковый диод обладает односторонней проводимостью. Это показывает вольтамперная характеристика диода. При небольшом напряжении U=0,8 B. на зажимах диода в цепи проходит относительно большой ток I=30 МА, а при значительном обратном напряжении U=11 В., ток ничтожно мал I=32 МкА.

Ответы на контрольные вопросы: Е - запирающий слой, который препятствует перемещению электронов и дырок. Контакт двух полупроводников р - типа и n - типа называют р - n - переходом. При таком соединении толщина запирающего слоя уменьшается, увеличивается проводимость, появляется ток прямой или пропускной. Если изменить полярность источника, то электроны сместятся к положительным электродам, запирающий слой увеличится.

Сопротивление р - n - перехода возрастает, а ток уменьшается (в 1000 раз по сравнению с прямым током). Этот ток называется обратным. Точечно-плоскостные полупроводниковые диоды имеют особенность в строении. У этих диодов кристалл германия (кремния) не вплавляется в донорную или акцепторную примесь. В германиевом диоде на пластину с электро проводимостью наклеивается табличка из индия. В процессе изготовления диода, пластину