Изучение режимов работы диодов и транзисторов в электронных схемах — страница 9

  • Просмотров 8136
  • Скачиваний 320
  • Размер файла 321
    Кб

происходит, когда транзистор находится в режима отсечки. Поэтому длительность среза определяется постоянной времени tк=RкСк или tк=Rк(Ск+Сн) с учетом емкости нагрузки Сн. Конденсатор С в схеме ТК (рис. 12. пунктир) является форсирующим. Он позволяет увеличить токи базы Jб1 и Jб2 нa короткий промежуток времени, в то время как стационарные токи базы практически не меняются, это приводит к повышению быстродействия ТК. Другим способом

увеличения быстродействия ТК является введение нелинейной обратной связи. Диод с малым временем восстановления (диод Шоттки), включенный между коллектором и базой, предотвращает глубокое насыщение ТК, фиксируя потенциал коллектора относительно потенциала базы. Такие ТК называют ненасыщенными. Описание макета Макет, схема которого показана на рис. 14, позволяет исследовать статические состояния ключа и переходные процессы в

нем. В первом случае с помощью переключателя BI возможна подача в цепь базы низкого уровня напряжения от источника G1 с сопротивлением в его -цепи R1. Для измерения постоянных токов и напряжений в цепях ключа используется прибор, установленный на панели лабораторного стенда о пределами измерения тока J1=20 мА, J2=200 мкА, U1=20В, U2=0,2 В. Рис. 14. Схема макета лабораторной работы и 3 При исследовании переходных процессов на вход схемы подаются

импульсы отрицательной полярности амплитудой не более 15 В от генератора прямоугольных импульсов. В схеме макета предусмотрена возможность установки в коллекторной и базовой цепях транзистора различных деталей (резисторов и конденсаторов) с целью исследования влияния их параметров на свойства исследуемого ключа. Так, возможна смена резисторов в коллекторной цепи (переключатель В4),подключение к схеме ускоряющего

конденсатора С2 (переключательВ2), подключение к выходу ключа нагрузочного конденсатора СЗ (переключатель ВЗ). В схеме установлен маломощный низкочастотный транзистор МП42А ( fa = I...3 мГц, Вст = 30...60, Ск= 30 пф, Ркмакс=200мвт). Резисторы и конденсаторы имеют следующие номиналы: R1=75 кОм, R6=5,1 кОм R2=3 кОм R7=10 кОм R3=,130 Ом. R8=75 кОм R4=910 Ом, C1=10,0 мкф R5=30 кОм C2=1000 пФ C3=470 пф. Напряжение источника G1 следует установить равным 10 В. Задание 1. Измерить

статический коэффициент усиления по току транзистора, установленного в ключе. 2. Исследовать статические состояния ТК при различных Rк. Определить величину сопротивления Rк, соответствующую границе насыщения. 3. Исследовать характеристики ТК в динамическом режиме. Выявить зависимости основных параметров переходных процессов tф,tрас,tc от амплитуда входного напряжения. Построить соответствующие графики. Для одного из значений